4 TB Samsung 990 Evo Plus, 7250/6300 MB/s (NVMe)
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ES-PCS9013214
4 TB Samsung 990 Evo Plus, 7250/6300 MB/s (NVMe)
| Allgemein | |
|---|---|
| Gerätetyp | Solid State Drive - intern |
| Kapazität | 4 TB |
| Hardwareverschlüsselung | Ja |
| Verschlüsselungsalgorithmus | 256-Bit-AES |
| NAND-Flash-Speichertyp | TLC (Triple-Level Cell) |
| Formfaktor | M.2 2280 |
| Schnittstelle | PCIe 5.0 x2 (NVMe) |
| Merkmale | Intelligent TurboWrite Technology, Samsung V-NAND TLC Technology, Geräte-Schlafunterstützung, Host Memory Buffer (HMB), TRIM-Unterstützung, Auto Garbage Collection Algorithm, S.M.A.R.T., IEEE 1667 |
| Breite | 22.15 mm |
| Tiefe | 80.15 mm |
| Höhe | 2.38 mm |
| Gewicht | 9 g |
| Leistung | |
| Interner Datendurchsatz | 7250 MBps (lesen)/ 6300 MBps (Schreiben) |
| Maximal 4 KB Random Write | 1400000 IOPS |
| Maximal 4 KB Random Read | 1050000 IOPS |
| Zuverlässigkeit | |
| MTBF | 1.500.000 Stunden |
| Erweiterung und Konnektivität | |
| Kompatibles Schaltfeld | M.2 2280 |
| Stromversorgung | |
| Energieverbrauch | 5.5 Watt (Lesen) ¦ 4.8 Watt (Schreiben) ¦ 60 mW (Standby) ¦ 5 mW (Sleep-Modus) |
Weitere Informationen
| Call for Price | Nein |
|---|
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